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晶体管
FP75R12KT3参考图片

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FP75R12KT3

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库存:4,330(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,168.194
1168.194
5
¥1,145.3002
5726.501
10
¥1,091.8964
10918.964
25
¥1,069.0026
26725.065
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R12KT3BOSA1 SP000100443
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1700V
1:¥1,327.2528
5:¥1,295.3642
10:¥1,263.1705
25:¥1,245.4973
参考库存:4942
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:19904
晶体管
MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:6871
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
参考库存:13608
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.3054
500:¥5.5822
5,000:¥3.8985
10,000:查看
参考库存:29910
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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