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晶体管
FP75R12KT3参考图片

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FP75R12KT3

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库存:4,330(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,168.194
1168.194
5
¥1,145.3002
5726.501
10
¥1,091.8964
10918.964
25
¥1,069.0026
26725.065
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R12KT3BOSA1 SP000100443
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN 30V 500mA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:17521
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
3,000:¥2.4408
参考库存:27593
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:27598
晶体管
MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
1:¥4.9155
10:¥3.5143
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.76049
参考库存:27603
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:27608
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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