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晶体管
FP75R12KT3参考图片

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FP75R12KT3

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库存:4,330(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,168.194
1168.194
5
¥1,145.3002
5726.501
10
¥1,091.8964
10918.964
25
¥1,069.0026
26725.065
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R12KT3BOSA1 SP000100443
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PMV28UNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:107059
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MMBT3906/TO-236AB/REEL 11" Q3/
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:57236
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥60.3985
10:¥54.5564
25:¥52.0252
100:¥45.1774
参考库存:5383
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:3325
晶体管
MOSFET NMOS TOLL 60V 1.1 MOHM
1:¥27.8206
10:¥23.6622
100:¥20.5208
250:¥19.436
2,000:¥13.9894
4,000:查看
参考库存:52922
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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