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晶体管
NTJD4105CT1G参考图片

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NTJD4105CT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.88366
883.66
3,000
¥0.75258
2257.74
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V, 8 V
Id-连续漏极电流
630 mA, - 775 mA
Rds On-漏源导通电阻
375 mOhms, 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V, - 1.8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC, 2.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.55 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD4105C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2 S, 2 S
下降时间
506 ns, 36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
227 ns, 23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
786 ns, 50 ns
典型接通延迟时间
83 ns, 13 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX453
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:31764
FDP55N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0964
1,000:¥5.5935
参考库存:11221
IPW60R190E6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:4843
BC560CTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92 PNP GP AMP
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.26894
参考库存:119110
CMPT8599 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary Trans 80Vcbo 80Vceo 5.0ebo
1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.08367
参考库存:28187

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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