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产品分类

晶体管
IGP30N60H3参考图片

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IGP30N60H3

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库存:8,896(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP30N60H3XKSA1 IGP3N6H3XK SP000702546
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9608
500:¥6.1585
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:104014
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.31527
参考库存:173751
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.5315
10:¥7.5484
100:¥5.9664
500:¥4.6217
1,000:¥3.6499
3,000:¥3.3109
参考库存:10938
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.49946
20,000:查看
参考库存:15800
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥128.2437
10:¥116.4917
25:¥107.802
50:¥101.9712
参考库存:2712
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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