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晶体管
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KSB1151YSTU

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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0285
50.285
100
¥3.2431
324.31
1,000
¥2.599
2599
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.14 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSB1151
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
1.5 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
KSB1151YSTU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2218/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
286:¥50.3302
500:¥45.878
1,000:¥39.9568
参考库存:54649
JANS2N6989
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,400.1039
参考库存:54654
JAN2N2484UA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥156.2112
250:¥143.3857
500:¥136.4701
参考库存:54659
FS150R17KE3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE
4:¥2,771.1555
8:¥2,604.1076
参考库存:54664
STF6N65K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:9932

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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