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晶体管
2N6040G参考图片

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2N6040G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 8A 60V Bipolar Power PNP
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库存:10,684(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.1867
51.867
100
¥3.3448
334.48
1,000
¥2.6781
2678.1
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
75 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6040
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
20000
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V P channel Mosfet
1:¥5.989
10:¥5.2206
100:¥4.0228
500:¥2.9832
2,500:¥2.1018
5,000:查看
参考库存:51469
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:51474
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
4,000:¥9.9892
参考库存:51479
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
1:¥23.278
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5996
参考库存:51484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥25.8996
10:¥23.052
25:¥20.8259
50:¥19.8993
参考库存:51489
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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