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晶体管
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IPP120N20NFD

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库存：7,606(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.6464
46.6464
10
¥39.6517
396.517
100
¥34.352
3435.2
250
¥32.5779
8144.475
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds On-漏源导通电阻
10.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS Fast Diode
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPP120N20NFDAKSA1 SP001108122
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847ALT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:806223
FDD4685
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
2,500:¥3.729
参考库存:19705
MMRF1015NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:6312
MJD127TF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington
1:¥5.8421
10:¥4.8251
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,000:¥2.486
参考库存:38484
MG12100W-XN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A IGBT
1:¥1,153.1424
5:¥1,130.4746
10:¥1,077.7601
参考库存:4231

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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