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产品分类

晶体管
SI7997DP-T1-GE3参考图片

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SI7997DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:25,820(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.0572
140.572
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
1,000
¥7.91
7910
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
106 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
71 S
下降时间
40 ns, 40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 50 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns, 115 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 60 ns
零件号别名
SI7997DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
1:¥26.2838
10:¥22.3627
100:¥19.3682
250:¥18.3625
参考库存:39075
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.752
25:¥10.5316
100:¥9.4468
参考库存:39080
晶体管
MOSFET
1:¥84.1398
参考库存:4475
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
15,000:¥1.4916
24,375:¥1.4125
48,750:¥1.3786
参考库存:39087
晶体管
MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V
2,500:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:39092
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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