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晶体管
BFS 483 H6327参考图片

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BFS 483 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥2.1244
6373.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFS483
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
65 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS483H6327XT BFS483H6327XTSA1 SP000750464
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003ANS
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 H/V, H/C Darlington Transistor
1,250:¥2.486
2,000:¥2.2487
5,000:¥2.1018
10,000:¥2.0227
参考库存:29428
VP0550N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥15.8313
10:¥13.221
25:¥10.9836
100:¥9.9892
2,000:¥6.4523
参考库存:29433
FF200R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥922.6224
5:¥904.4859
10:¥862.303
25:¥844.2456
参考库存:6253
C2M0080170P
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
1:¥266.4088
100:¥256.1032
参考库存:9860
CMLDM8005 TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥5.2997
10:¥4.5765
100:¥3.1753
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.0001
参考库存:16907

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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