FDD86250-F085原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Id-连续漏极电流	50 A
Rds On-漏源导通电阻	22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	28 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	160 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
晶体管类型	1 N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	5 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	34 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	23 ns
典型接通延迟时间	14 ns

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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