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晶体管
FDH3632参考图片

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FDH3632

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库存:8,371(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.194
38.194
10
¥32.431
324.31
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.668
6667
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FDH3632
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
39 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FDH3632_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥0.69947
24,000:¥0.65314
参考库存:46949
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
500:¥18.0574
1,000:¥15.2098
2,500:¥14.4414
5,000:¥13.9103
参考库存:46954
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
240:¥32.657
480:¥30.962
720:¥27.8206
1,200:¥23.4362
参考库存:46959
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
1:¥643.3768
5:¥630.9355
10:¥610.1096
25:¥584.2891
250:¥523.8906
参考库存:46964
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms
5,000:¥10.2943
参考库存:46969
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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