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晶体管
IGW60N60H3参考图片

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IGW60N60H3

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:3,914(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.7879
51.7879
10
¥46.7933
467.933
25
¥44.5672
1114.18
100
¥38.7251
3872.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60N60H3FKSA1 IGW6N6H3XK SP000925524
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
1:¥7.684
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
3,000:¥2.5764
参考库存:51660
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.4523
10:¥5.4805
100:¥4.2149
500:¥3.7177
800:¥2.938
参考库存:26072
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 14.8A 0.061R
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.294
500:¥3.7968
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:9439
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm
100:¥50.9404
300:¥47.5617
500:¥44.4881
1,000:¥41.5727
参考库存:4201
晶体管
达林顿晶体管 5A 60V Bipolar Power NPN
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
参考库存:35078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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