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晶体管
DMN3032LE-13参考图片

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DMN3032LE-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
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库存:27,207(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
2,500
¥1.4012
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.6 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
14 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN3032
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET P-Channel Transistor General Purpose
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.68365
参考库存:24303
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V 1A SOT-323
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.7458
参考库存:29250
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:29832
晶体管
MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
1:¥30.736
10:¥25.5154
100:¥20.9728
250:¥20.2835
参考库存:2589
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 160V
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.825
1,000:¥2.26
2,000:¥1.9097
参考库存:11111
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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