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晶体管
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2N4918

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.1246
3062.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
600 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N4918
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
30000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
2N4918 PBFREE
单位重量
761 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC201202FC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:42708
HUFA76413DK8T-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER
2,500:¥5.4353
5,000:¥5.2432
10,000:¥5.0285
参考库存:42713
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:42718
PTVA123501EC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:42723
IPD80N04S306ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:42728

  • 海量现货

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