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晶体管
FGB7N60UNDF参考图片

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FGB7N60UNDF

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库存:7,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.5997
16.5997
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.30
1130
500
¥9.831
4915.5
800
¥8.1473
6517.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB7N60UNDF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerTrench
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5597
2,500:¥7.5597
参考库存:12227
晶体管
MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:18509
晶体管
MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:4251
晶体管
IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
1:¥11,753.9097
参考库存:4118
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥972.6362
5:¥953.5053
10:¥909.0963
25:¥889.9654
参考库存:4170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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