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晶体管

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BSM200GA170DLC

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库存:4,086(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,252.5711
1252.5711
5
¥1,222.3662
6111.831
10
¥1,192.0144
11920.144
25
¥1,175.3469
29383.6725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GA170DLCHOSA1 SP000100712
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
1:¥3.9211
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:44434
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:14401
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45V 500MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:7988
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 package
1:¥170.5848
5:¥168.822
10:¥157.296
25:¥150.3013
参考库存:7395
晶体管
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥13.447
10:¥11.3678
100:¥9.1417
500:¥7.9891
3,000:¥6.1811
6,000:查看
参考库存:13872
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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