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晶体管
IPG20N06S4L26ATMA1参考图片

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IPG20N06S4L26ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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库存:16,372(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9551
59.551
100
¥4.5765
457.65
500
¥4.0454
2022.7
5,000
¥2.8363
14181.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms, 21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
20 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns, 1.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
零件号别名
IPG20N06S4L-26 IPG2N6S4L26XT SP000705588
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥0.84524
10:¥0.72207
100:¥0.26103
1,000:¥0.1695
3,000:¥0.13108
参考库存:227122
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:8794
晶体管
MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
1:¥8.0682
10:¥6.2715
100:¥4.0454
1,000:¥3.2318
2,000:¥2.7233
参考库存:13311
晶体管
MOSFET N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
1:¥52.093
10:¥47.0984
25:¥44.9514
100:¥39.0302
参考库存:7523
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 61A TO220-3
1:¥49.5618
10:¥42.1038
100:¥36.499
250:¥34.6571
参考库存:3855
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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