APT100GT120JRDQ4原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	3.2 V
在25 C的连续集电极电流	123 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	570 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
F4-150R12KS4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A	1:¥1,722.7528 5:¥1,681.2592 10:¥1,639.5396 25:¥1,616.5554	参考库存:2791
STS5N15F4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 150 V StripFET	1:¥11.3678 10:¥9.6841 100:¥7.4241 500:¥6.5653 2,500:¥4.5991 10,000:查看	参考库存:23993
PZTA64	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington	1:¥3.0736 10:¥2.3504 100:¥1.2769 1,000:¥0.9605 4,000:¥0.82264	参考库存:3510
IPB320N20N3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥20.8259 10:¥17.6732 100:¥15.368 250:¥14.5205 1,000:¥10.9836 2,000:查看	参考库存:2772
BUL58D	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor	1:¥7.0738 10:¥6.0907 100:¥4.6782 500:¥4.1358	参考库存:13319