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晶体管
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FQP19N20

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库存：20,833(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2207
722.07
500
¥6.3845
3192.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
19.4 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP19N20
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14.5 S
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
FQP19N20_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVN3320FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:191766
FF300R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
参考库存:3423
DMN65D8LFB-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
2,500:¥0.3616
10,000:¥0.30736
参考库存:132735
STGD5H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:27297
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:5799

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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