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晶体管
2N1613参考图片

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2N1613

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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库存:11,178(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.1364
16.1364
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.4469
1144.69
500
¥10.0683
5034.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N1613
直流电流增益 hFE 最大值
120
高度
6.6 mm
长度
9.4 mm
封装
Bulk
宽度
9.4 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N1613 PBFREE
单位重量
1.006 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
1:¥11.6842
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2772
参考库存:38946
晶体管
IGBT 模块
100:¥350.7746
250:¥343.3957
参考库存:38951
晶体管
MOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:38956
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
25:¥2,151.52
参考库存:38961
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥524.7381
参考库存:38966
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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