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晶体管
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FQI50N06TU

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库存：5,725(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.2206
2610.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI50N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQI50N06TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 75A Single N-Chan Pwr MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥4.1923
2,500:¥2.9606
5,000:查看
参考库存:50635
FF900R12IP4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,307.0402
5:¥4,047.4679
参考库存:7223
2SC5729T106Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:50642
R5011ANX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1303
1,000:¥5.6274
参考库存:50647
2N6377
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥690.4865
参考库存:50652

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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