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晶体管
BSZ097N04LS G参考图片

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BSZ097N04LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:108,372(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
5,000
¥2.3843
11921.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
14.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
零件号别名
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ97N4LSGXT SP000388296
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥34.8831
205:¥34.8831
500:¥31.2784
1,000:¥26.3516
2,500:¥25.0521
参考库存:53867
晶体管
MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
1:¥53.788
10:¥48.6352
25:¥46.4091
100:¥40.2619
3,000:¥29.4252
参考库存:53872
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
5,000:¥1.1639
10,000:¥1.05994
25,000:¥1.03734
参考库存:53877
晶体管
MOSFET TO-251 MOSFET
1,600:¥4.3166
3,200:¥3.7064
5,600:¥3.3787
10,400:¥3.0849
25,600:¥3.0397
参考库存:53882
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,301.7422
2:¥2,246.3383
5:¥2,213.4553
10:¥2,182.0978
参考库存:53887
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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