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晶体管
IKW75N60T参考图片

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IKW75N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A
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数量单价合计
1
¥63.619
63.619
10
¥57.4718
574.718
25
¥54.7824
1369.56
100
¥47.5617
4756.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.03 mm
宽度
5.16 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60TFKSA1 IKW75N6TXK SP000054889
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
3,000:¥0.75258
12,000:¥0.75258
24,000:¥0.69156
45,000:¥0.66896
参考库存:46193
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
2:¥377.5104
5:¥367.0692
10:¥356.6167
参考库存:46198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:46203
晶体管
MOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
3,000:¥27.4364
参考库存:46208
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:46213
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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