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晶体管
APT100GT120JU2参考图片

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APT100GT120JU2

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:1,986(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥7.2207
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,500:¥2.9154
9,000:查看
参考库存:15543
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:48637
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
10,000:¥0.7458
参考库存:48642
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 10K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:508305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GenPurpTranstr
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:48649
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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