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晶体管
IPP17N25S3-100参考图片

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IPP17N25S3-100

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库存:3,682(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP17N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
IPP17N25S3100AKSA1 SP001025116
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:87802
晶体管
JFET N-Channel Switch
1:¥2.6894
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
9,000:¥0.68365
参考库存:45689
晶体管
达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays
1:¥5.537
10:¥4.6104
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
参考库存:12356
晶体管
MOSFET PCH 80MA 100V SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:18268
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:18410
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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