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晶体管
FDP032N08B-F102参考图片

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FDP032N08B-F102

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库存:5,833(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
211 A
Rds On-漏源导通电阻
2.85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
111 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
263 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP032N08B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
168 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
44 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
38 ns
零件号别名
FDP032N08B_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A
1:¥160.1323
10:¥147.2277
25:¥141.1596
100:¥124.3226
参考库存:5196
晶体管
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,500:¥1.1752
参考库存:7398
晶体管
MOSFET 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
3,000:¥9.605
6,000:查看
参考库存:28895
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:12812
晶体管
IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 medium speed S5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
1:¥37.4934
10:¥31.8886
100:¥27.6624
250:¥26.2047
参考库存:49180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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