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晶体管
APT45GR65B参考图片

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APT45GR65B

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:2,623(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
1:¥502.9969
5:¥492.3184
10:¥473.1084
25:¥457.8873
100:¥424.315
200:查看
参考库存:2483
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4075
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.77631
参考库存:111037
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:18594
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
1:¥224.757
5:¥214.926
10:¥207.3889
25:¥180.9582
500:¥156.0643
参考库存:3251
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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