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晶体管
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APT45GR65B

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BDP949H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:152706
FQA16N50-F109
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500v QFET
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:5288
TSM3401CX
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V P channel MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:8280
FS10R06VE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥140.1539
10:¥128.8652
25:¥123.5542
100:¥108.8868
参考库存:4937
TSM80N1R2CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET
1:¥17.289
10:¥15.594
100:¥12.5995
500:¥9.831
参考库存:24834

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    科技智能大仓储

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