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晶体管
FP15R12KE3G参考图片

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FP15R12KE3G

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库存:2,975(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥466.8821
466.8821
5
¥456.4296
2282.148
10
¥438.5982
4385.982
25
¥424.4619
10611.5475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
100 W
封装 / 箱体
EconoPIM2-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP15R12KE3GBOSA1 SP000100425
单位重量
180 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2433
500:¥6.3958
参考库存:13834
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A Dual
1:¥443.8301
5:¥435.6828
10:¥417.7045
25:¥404.6417
参考库存:4356
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥114.0283
10:¥103.6549
25:¥95.8918
50:¥90.6712
参考库存:4303
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:16205
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:425182
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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