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晶体管
SIHF7N60E-E3参考图片

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SIHF7N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:6,484(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.905
20.905
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.2889
1528.89
500
¥11.9893
5994.65
1,000
¥10.0683
10068.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SIHF7N60E
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darl
1:¥3.1527
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
2,500:¥1.08367
参考库存:54909
晶体管
IGBT 晶体管 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
1:¥40.8834
10:¥34.7362
100:¥30.1258
250:¥28.589
500:¥25.6623
参考库存:6291
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 15W NPN
1:¥4.1471
10:¥3.4578
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
参考库存:14008
晶体管
MOSFET 200V N-Ch MOSFET
1:¥8.7575
10:¥7.458
100:¥5.7291
500:¥5.0511
1,000:¥4.0002
参考库存:9895
晶体管
MOSFET N-CH. DUAL COOL ER TREN
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
3,000:¥9.379
6,000:查看
参考库存:12997
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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