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晶体管
STB60NF06T4参考图片

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STB60NF06T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
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库存:9,085(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4919
3745.95
1,000
¥6.2037
6203.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB60NF06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥53.9462
10:¥48.7934
25:¥46.4882
100:¥40.341
1,000:¥30.5778
2,000:查看
参考库存:7272
晶体管
MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥7.0738
10:¥5.8421
100:¥4.4748
500:¥3.8533
3,000:¥2.8363
6,000:查看
参考库存:100454
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:25531
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
5,000:¥7.7631
参考库存:89143
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥426.3038
5:¥413.3992
10:¥401.263
25:¥376.2109
参考库存:3280
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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