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晶体管
ZTX855参考图片

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ZTX855

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
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库存:27,668(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.667
66.67
100
¥5.1302
513.02
500
¥4.5313
2265.65
1,000
¥3.5708
3570.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
250 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
210 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
90 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX855
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:18976
晶体管
MOSFET PCH+NCH 1.8V DRIVE S
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:34483
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:441760
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥35.5724
10:¥28.589
100:¥23.4362
500:¥21.131
参考库存:20187
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:99394
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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