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晶体管
IGW50N65H5FKSA1参考图片

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IGW50N65H5FKSA1

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库存:5,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.7412
5435.3
500
¥19.5151
9757.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65H5 SP001001744
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥45.2565
10:¥40.7252
100:¥33.3463
250:¥31.3462
500:¥28.4308
参考库存:6876
晶体管
MOSFET 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
1:¥26.5098
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
2,000:¥13.3679
4,000:查看
参考库存:11928
晶体管
MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
2,500:¥5.537
参考库存:25825
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
3,000:¥19.6733
参考库存:3507
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:1679
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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