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晶体管
IGW50N65H5FKSA1参考图片

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IGW50N65H5FKSA1

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库存:5,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.7412
5435.3
500
¥19.5151
9757.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65H5 SP001001744
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:9857
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:56044
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:78366
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
参考库存:13238
晶体管
MOSFET 400V Dual N-Ch QFET
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:32025
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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