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晶体管
IGW50N65H5FKSA1参考图片

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IGW50N65H5FKSA1

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数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.7412
5435.3
500
¥19.5151
9757.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65H5 SP001001744
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-25QAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 500 mA PNP gen purpose transistors
1:¥2.147
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
5,000:¥0.32318
参考库存:26336
DMN66D0LT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET NMOS-Single
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:19473
IRFR9210PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.91
10:¥6.4749
参考库存:8425
BC808-25LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V PNP
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:132172
KSD1616AGTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.1244
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.52997
参考库存:24524

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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