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晶体管
FGB3040G2-F085参考图片

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FGB3040G2-F085

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数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
800
¥8.2942
6635.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.15 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB3040G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25.6 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB3040G2_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
1:¥1,281.2279
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:3332
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥22.8938
10:查看
参考库存:3329
晶体管
MOSFET HIGH POWER NEW
1:¥114.6498
10:¥105.429
25:¥101.0446
100:¥89.0553
2,000:¥65.6191
参考库存:8051
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥413.241
2:¥402.0314
5:¥390.8896
10:¥379.7478
参考库存:3518
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 SIPMOS
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:4035
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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