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晶体管
SI8851EDB-T2-E1参考图片

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SI8851EDB-T2-E1

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.938
293.8
500
¥2.4295
1214.75
1,000
¥1.9436
1943.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFoot-30
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
16.7 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI8
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
115 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3498L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥147.2277
250:¥135.0802
500:¥128.5488
参考库存:55179
APTGT100A120T3AG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥639.3088
参考库存:55184
RMP6N70LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.2035
5,000:¥2.0114
10,000:¥1.8419
25,000:¥1.808
参考库存:55189
1014-6A
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥1,525.5791
2:¥1,488.8541
5:¥1,473.0228
10:¥1,451.8918
参考库存:55194
JANSR2N2907AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥634.9244
100:¥621.1723
参考库存:55199

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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