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晶体管
STP4N80K5参考图片

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STP4N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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库存：7,329(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
1,000
¥6.1359
6135.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP4N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-16,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:152120
MRF393
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB
1:¥645.682
10:¥630.0089
参考库存:2317
MMBF170-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V 225mW
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:184149
FCX705TA
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 PNP High Voltage Darlington
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:30566
IRFH5053TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5766
4,000:¥6.5766
参考库存:42228

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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