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晶体管
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QST8TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP Vce -12v -1.5A
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1
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4.1471
10
¥3.39
33.9
100
¥2.0679
206.79
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.356
4068
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMT-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 85 mV
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
400 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
QST8
直流电流增益 hFE 最大值
680
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
QST8
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.26894
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.14577
参考库存:42971
晶体管
MOSFET BUK7C3R1-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
暂无价格
参考库存:42976
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:42981
晶体管
MOSFET 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V
2,000:¥11.6051
4,000:¥11.2209
参考库存:42986
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:42991
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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