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晶体管
2DB1132Q-13参考图片

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2DB1132Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
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库存:13,800(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 125 mV
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1868
500:¥6.3506
2,500:¥4.4409
10,000:查看
参考库存:50034
晶体管
MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1642
3,000:¥5.537
6,000:查看
参考库存:13606
晶体管
MOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:17633
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 80Vcbo 50Vces 45Vceo 500mW
1:¥4.1471
10:¥3.5821
100:¥2.486
1,000:¥1.8419
参考库存:23100
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.1093
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
参考库存:4077
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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