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晶体管
BSC010NE2LSATMA1参考图片

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BSC010NE2LSATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:55,954(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
4.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSC010NE2LS BSC1NE2LSXT SP000776124
单位重量
300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
1:¥43.1095
10:¥36.6572
100:¥31.7304
250:¥30.1258
500:¥27.0522
参考库存:6457
晶体管
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
1:¥6.9156
10:¥5.7969
100:¥3.729
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.5312
参考库存:29294
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -20V -6.2A 600mW 105MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:11091
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 47KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:34888
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:22285
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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