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晶体管
HGTG20N60B3D参考图片

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HGTG20N60B3D

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库存:8,856(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.8043
40.8043
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.0467
3004.67
250
¥28.5099
7127.475
500
¥25.5832
12791.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
165 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60B3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60B3D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥19.3682
10:¥16.0573
100:¥12.4526
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:7143
晶体管
MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3165
2,500:¥2.3165
参考库存:35610
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9211
1,000:¥3.0962
4,000:¥3.0962
参考库存:45207
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
800:¥15.594
参考库存:15094
晶体管
MOSFET 20V Dual N ch MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.3504
1,000:¥1.8193
3,000:¥1.5481
参考库存:71966
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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