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晶体管
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FJA4210OTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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数量单价合计
1
¥17.1308
17.1308
10
¥14.5996
145.996
100
¥11.6842
1168.42
500
¥10.2152
5107.6
1,000
¥8.4524
8452.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 140 V
集电极—基极电压 VCBO
- 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJA4210
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
18.9 mm (Max)
长度
15.8 mm (Max)
封装
Tube
宽度
5 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
450
子类别
Transistors
零件号别名
FJA4210OTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT30X60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥397.9521
参考库存:37994
APTGT75H60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥461.266
参考库存:37999
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:38004
CXTA44 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 450Vcbo 400Vceo 1.2W
2,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
25,000:¥2.8589
参考库存:902899
A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:38011

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