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晶体管

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DDB6U30N08VR

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库存:5,204(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥136.0859
136.0859
10
¥125.1701
1251.701
25
¥119.9495
2998.7375
100
¥105.7341
10573.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
封装 / 箱体
EASY750
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
40
子类别
IGBTs
零件号别名
DDB6U30N08VRBOMA1 SP000100308
单位重量
10 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 PNP High Frequency
3,000:¥15.7522
6,000:¥15.2889
参考库存:44204
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:44209
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:44214
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
9,000:¥0.90626
24,000:¥0.82942
45,000:¥0.79891
99,000:¥0.7684
参考库存:751509
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 65W
1,600:¥4.5652
2,800:¥4.0454
10,000:¥3.8985
参考库存:44221
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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