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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRF9540SPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET	1:¥17.8314	参考库存:13542
FDS6680A	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V	1:¥5.2206 10:¥4.3053 100:¥2.7798 1,000:¥2.2261 2,500:¥2.2261	参考库存:55229
FDMC7208S	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET	1:¥10.3734 10:¥8.8366 100:¥6.78 500:¥5.989 3,000:¥4.1923 9,000:查看	参考库存:9196
STP10NK70ZFP	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A	1:¥25.8996 10:¥21.9785 100:¥19.0518 250:¥18.1365	参考库存:5408
IRFR220TRPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp	1:¥7.5258 10:¥6.6331 100:¥5.1528 500:¥3.8533 1,000:¥3.1188 2,000:¥2.7572	参考库存:18880