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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJV3114R
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	68
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.93 mm
长度	2.92 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	1.3 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI6423DQ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8	1:¥12.9837 10:¥10.7576 100:¥8.3733 500:¥7.3337 1,000:¥6.0907 3,000:¥6.0907	参考库存:48451
QS5U33TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V; 2A; N-Channel Single	1:¥4.7686 10:¥4.0002 100:¥2.6103 1,000:¥2.0792 3,000:¥1.7628	参考库存:8233
KSC1008OBU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil	1:¥2.5312 10:¥1.7176 100:¥0.71416 1,000:¥0.49155	参考库存:99195
SI2323DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V	1:¥6.4523 10:¥5.198 100:¥3.955 3,000:¥3.955	参考库存:99762
IPB042N10N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥21.131 10:¥17.9783 100:¥14.3736 500:¥12.5995 1,000:¥10.4525	参考库存:7054