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晶体管
TK6A80E,S4X参考图片

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TK6A80E,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
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数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥11.752
117.52
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK6A80E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUL1203EFP
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
1,000:¥7.0286
2,000:¥6.5427
5,000:¥6.3054
10,000:¥6.0568
参考库存:55840
SSM3K15ACT(TPL3)
Toshiba
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MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
暂无价格
参考库存:55845
JANTXV2N6383
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100:¥591.1256
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2N3737UB
Microsemi
晶体管
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100:¥125.0232
250:¥114.8758
500:¥105.8132
参考库存:55855
QPD1019
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:55860

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