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晶体管
BSS123NH6327XTSA1参考图片

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BSS123NH6327XTSA1

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库存:793,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.8758
18.758
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.62263
622.63
3,000
¥0.46895
1406.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS123
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.4 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
零件号别名
BSS123N BSS123NH6327XT H6327 SP000870646
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 2.2kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:47336
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
1:¥6.1472
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
1,500:¥2.2035
参考库存:19308
晶体管
MOSFET N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2998
1,000:¥5.763
3,000:¥5.763
参考库存:44705
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:6937
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:4599
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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