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晶体管
APT45GP120BG参考图片

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APT45GP120BG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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库存:1,572(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥151.985
151.985
10
¥138.1538
1381.538
25
¥127.7804
3194.51
50
¥120.8648
6043.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:9516
晶体管
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 20V 2A
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
8,000:¥1.3786
24,000:查看
参考库存:54255
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥204.9368
300:¥188.0998
500:¥179.0372
参考库存:54260
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,354.6101
参考库存:54265
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥366.4477
250:¥342.0171
参考库存:54270
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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