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晶体管

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APT80GP60J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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库存:1,462(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥295.2238
295.2238
2
¥287.2234
574.4468
5
¥279.2343
1396.1715
10
¥271.3243
2713.243
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
151 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
462 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 236A
1:¥11.9102
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0512
5,000:¥5.2319
10,000:查看
参考库存:41638
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:41643
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥215.4571
5:¥207.0838
10:¥199.2416
25:¥183.1052
参考库存:41648
晶体管
MOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥6.1811
5,000:¥4.3279
10,000:查看
参考库存:41653
晶体管
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:41658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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