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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJX4006R
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	68
发射极 - 基极电压 VEBO	- 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC043TEBTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors	1:¥1.2317 10:¥1.09158 100:¥0.3842 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:12008
2SC2714-Y(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V	1:¥4.3053 10:¥2.3843 100:¥1.02152 1,000:¥0.78422 3,000:¥0.5989	参考库存:21365
F4-75R12KS4_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V	1:¥967.0314 5:¥948.0474 10:¥903.8644 25:¥884.8917	参考库存:4022
FP50R07N2E4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 50A 650V	1:¥611.0362 5:¥599.8153 10:¥584.2891 25:¥572.8422	参考库存:3984
PDTC143EU,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.2317 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:56936