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晶体管
3SK292(TE85R,F)参考图片

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3SK292(TE85R,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5029
1502.9
3,000
¥1.2882
3864.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
26 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMQ-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
500 MHz
系列
3SK292
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3499L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥141.0805
250:¥129.4754
500:¥123.2491
参考库存:58387
JANTX2N3637L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥175.2743
250:¥160.8216
500:¥153.0698
参考库存:58392
ALD910018SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:58397
JAN2N5153L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.8595
250:¥116.5708
500:¥109.0337
参考库存:58402
STP120N4F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:13670

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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