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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	20
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA043EM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA043EM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NSBA114YDXV6T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP	1:¥2.6894 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 4,000:¥0.71416	参考库存:29181
TPC8134,LQ(S	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC	1:¥5.2997 10:¥4.068 100:¥2.6894 1,000:¥2.147 2,500:¥1.8419	参考库存:13343
IPP65R190E6	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3	1:¥23.052 10:¥19.5942 100:¥16.9839 250:¥16.1364 500:¥14.4414	参考库存:2565
DTC124EET1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN	1:¥1.2317 10:¥1.06785 100:¥0.37629 1,000:¥0.25312 3,000:¥0.1921	参考库存:59592
IRFP7718PBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power	1:¥44.8723 10:¥38.1149 100:¥33.0412 250:¥31.3462 500:¥28.1257	参考库存:3029