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晶体管

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CGH27030S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
84 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
7 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
21.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN2410L-G-P014
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.458
10:¥7.4128
25:¥6.2489
100:¥5.6952
2,000:¥3.8872
4,000:查看
参考库存:10626
MJB41CT4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W NPN
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
800:¥3.8081
参考库存:16033
STP10NK80ZFP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
参考库存:7460
STN3NF06L
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
4,000:¥1.7628
参考库存:106832
STL90N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.5262
3,000:¥11.1418
6,000:查看
参考库存:15559

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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